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碳化硅靶（SiC）
    发布时间: 2021-11-23 13:19    
碳化硅靶（SiC）

碳化硅靶

  1. 纯度：99.9% 

  2. 形状：方靶，圆靶，异形定制

  3. 用途：可用于半导体散热等领域。


碳化硅技术参数

材料名称   Material Type

Silicon Carbide

符号 Symbol

SiC

熔点 Melting Point (°C)

~2,700

理论密度 Theoretical Density (g/cc)

3.22

溅射电源 Sputter

射频

绑定类型 Type of Bond

铟,   导电胶