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砷化镓单晶(GaAs)
    发布时间: 2022-02-10 15:19    
砷化镓单晶(GaAs)

名称

砷化镓单晶

分子式

GaAs

CAS

1303-00-0

生长方法

垂直布里奇曼法

晶体结构

闪锌矿结构, F-43m

晶格常数

a=5.65315 Å

解理面

(110)

熔点(℃)

1238

密度(g/cm3)

5.32

硬度(Mohs)

4-5

折射率(nD)

3.66

禁带宽度(eV)

1.441

电子迁移率(V·s/cm2)

~9000

介电常数

13.1

德拜温度(K)

360

禁带宽度(eV)

1.424

折射率

3.3(红外)

压电常数(Cm-2)

e14= -0.16

化学稳定性

不溶于水,空气中稳定

颜色及外观

黑灰色

常规尺寸

2inch、4inch、10×10mm、10×5mm、5x5mm可定制

常规晶向

(100)、(110)、(111)

抛光

单面或双面抛光

掺杂

N型掺Si, Te; P型掺Ga;不掺杂