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Advanced Materials for Research
名称
4H-碳化硅
分子式
4H-SiC
CAS
409-21-2
生长方法
籽晶升华法，物理气相传输法
晶体结构
六方, P63mc
堆垛方式
ABAC
晶格常数
a=3.076 Å c=10.053Å Z=8
熔点(℃)
2827
密度(g/cm3)
3.16
硬度(Mohs)
9.2
禁带宽度(eV)
3.23
折射率(nD)
2.55
电子迁移率(V·s/cm2)
~900
介电常数
ε11=ε22=9.6 ε33= 10.33
化学稳定性
不溶于水
颜色及外观
黑色
常规尺寸
2inch, 最大6inch，可定尺切割
常规晶向
(0001)
抛光
单面或双面抛光
