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碳化硅单晶基片 (6H-SiC)
    发布时间: 2022-02-10 14:40    
碳化硅单晶基片 (6H-SiC)

名称

6H-碳化硅

分子式

6H-SiC

CAS

409-21-2

生长方法

籽晶升华法,物理气相传输法

晶体结构

六方, P63mc

堆垛方式

ABCACB

晶格常数

a=3.073 Å    c=15.117 Å  Z=12

熔点(℃)

2827

密度(g/cm3)

3.16

硬度(Mohs)

9.2

禁带宽度(eV)

3.05

折射率(nD)

2.55

电子迁移率(V·s/cm2)

~900

介电常数

ε11=ε22=9.6    ε33= 10.33

化学稳定性

不溶于水

颜色及外观

黑色

常规尺寸

2inch,可定尺切割

常规晶向

 (0001)

抛光

单面或双面抛光